你了解(jie)單晶爐(lú)嗎？單晶(jing)爐在制(zhi)作工藝(yi)上的拉(lā)制方法(fǎ)具體該(gāi)怎麽做(zuo)呢？

第一(yī)種：區熔(róng)法

區熔(rong)法的操(cao)作工藝(yi)就是爲(wei)了避免(miǎn)熔體與(yu)坩埚間(jiān)的化學(xué)反應造(zao)成的污(wū)染，而發(fā)展起來(lái)的無增(zeng)埚晶體(tǐ)生長工(gōng)藝。

這種(zhǒng)方法隻(zhi)适用于(yu)熔體表(biao)面張力(lì)系數大(da)的晶體(ti)生長。垂(chui)直安裝(zhuang)一根多(duō)晶體棒(bàng)，用水冷(leng)射頻感(gǎn)，使應加(jia)熱使棒(bàng)的一端(duan)熔化。依(yī)靠熔體(ti)的表面(mian)張力和(he)電場産(chan)生的懸(xuan)浮力，使(shi)熔體與(yu)晶棒粘(zhan)附在一(yi)起。把一(yī)根經過(guo)定向處(chu)理的籽(zi)晶端部(bù)侵入熔(róng)體，利用(yong)加熱器(qì)與晶體(tǐ)熔體的(de)相對運(yùn)動使多(duō)晶棒不(bu)斷地熔(róng)化，而另(lìng)一側逐(zhú)漸生成(chéng)晶體。這(zhè)種方法(fa)會讓生(shēng)長的晶(jīng)體不會(huì)受坩埚(guo)的污染(rǎn)。

第二種(zhǒng)：直拉法(fa)

直拉法(fa)又稱“恰(qià)克拉斯(si)基法”（Czochralski）法(fa)，簡稱CZ法(fa)。是生長(zhang)單晶矽(xī)的主要(yào)方法。該(gai)法是在(zài)直拉法(fǎ)(CZ)單晶爐(lu)内，将原(yuan)料（多晶(jing)矽）裝在(zài)一個坩(gan)埚中使(shǐ)其加熱(re)至熔融(rong)狀，向熔(róng)矽中引(yin)入籽晶(jīng)，籽晶夾(jia)在提拉(lā)杆的下(xia)端，控制(zhì)溫度合(hé)适。當籽(zi)晶和熔(rong)矽達到(dao)平衡時(shi)，熔液會(hui)靠着表(biao)面張力(li)的支撐(cheng)吸附在(zài)籽晶的(de)下方。此(ci)時邊旋(xuán)轉邊提(tí)拉籽晶(jing)，這些被(bei)吸附的(de)熔體也(yě)會随着(zhe)籽晶往(wǎng)上運動(dong)。向上運(yùn)動的過(guo)程中熔(rong)體溫度(du)下降，将(jiāng)使得熔(róng)體凝結(jié)成晶且(qiě)随着籽(zǐ)晶方向(xiàng)生長成(chéng)單晶棒(bang)。

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