單晶爐(lú)在使用前一定(ding)要認真的閱讀(du)操作規程，以免(mian)發生意外和導(dao)緻設備的損壞(huài)。

1、清爐、裝爐：清洗(xǐ)整個爐室内壁(bì)及加熱線圈、反(fan)射器、晶體夾持(chi)器、上軸、下軸，調(diao)整加熱線圈和(hé)反射器的水平(ping)及與上軸、下軸(zhóu)的對中；将多晶(jing)料夾具固定到(dao)多晶料尾部的(de)刻槽處，然後将(jiāng)其安裝到上軸(zhóu)末端，進行多晶(jing)料的對中；将籽(zǐ)晶裝入籽晶夾(jia)頭上，然後将其(qí)安裝到下軸頂(dǐng)端；關閉各個爐(lú)門，擰緊各緊固(gu)螺栓； 

2、抽空、充氣(qi)，預熱：打開真空(kong)泵及抽氣管道(dao)閥門，對爐室進(jìn)行抽真空，真空(kong)度達到所要求(qiú)值時，關閉抽氣(qi)管道閥門及真(zhēn)空泵，向爐膛内(nei)快速充入氩氣(qi)；當充氣壓力達(dá)到相對壓力 1bar-6bar時(shí)，停止快速充氣(qi)，改用慢速充氣(qi)，同時打開排氣(qì)閥門進行流氩(yà)；充氣完畢後，對(dui)多晶矽棒料進(jìn)行預熱，預熱使(shi)用石墨預熱環(huan)，使用電流檔，預(yù)熱設定點25-40％，預熱(rè)時間爲12-07分鍾； 

3、化(huà)料、引晶：預熱結(jie)束後，進行化料(liao)，化料時轉入電(dian)壓檔，發生器設(shè)定點在40-60％；多晶料(liao)熔化後，将籽晶(jīng)與熔矽進行熔(rong)接，熔接後對熔(rong)區進行整形，引(yǐn)晶； 

4、生長細頸：引(yǐn)晶結束後，進行(hang)細頸的生長，細(xi)頸的直徑在2-6mm，長(zhǎng)度在30-60mm； 

5、擴肩及氮(dàn)氣的充入：細頸(jǐng)生長結束後，進(jìn)行擴肩，緩慢減(jian)少下速至3±2mm/min，同時(shí)随着擴肩直徑(jing)的增大不斷減(jian)少下轉至8±4rpm，另外(wài)還要緩慢減小(xiao)上轉至1±0.5rpm；爲了防(fáng)止高壓電離，在(zai)氩氣保護氣氛(fēn)中充入一定比(bi)例的氮氣，氮氣(qi)的摻入比例相(xiàng)對于氩氣的 0.01％-5％；

6、轉(zhuǎn)肩、保持及夾持(chi)器釋放：在擴肩(jian)直徑與單晶保(bǎo)持直徑相差3-20mm時(shi)，擴肩的速度要(yao)放慢一些，進行(hang)轉肩，直至達到(dao)所需直徑，單晶(jīng)保持，等徑保持(chí)直徑在75mm-220mm，單晶生(shēng)長速度1mm/分-5mm/分，在(zai)擴肩過程中，當(dang)單晶的肩部單(dān)晶持器的銷子(zi)的距離小于2mm時(shi)釋放夾持器，将(jiang)單晶夾住；

7、收尾(wei)、停爐：當單晶拉(lā)至尾部，開始進(jin)行收尾，收尾到(dào)單晶的直徑達(dá)到Φ10-80mm，将熔區拉開(kai)，這時使下軸繼(jì)續向下運動，上(shàng)軸改向上運動(dòng)，同時功率保持(chí)在40±10％，對晶體進行(háng)緩慢降溫。