在 單(dān)晶爐 中(zhong)可以進(jin)行一些(xiē)操作，如(ru)果把高(gāo)純度的(de)多晶矽(xī)原料放(fang)在高純(chún)度的石(shí)英坩埚(guo)中，通過(guò)加熱器(qi)的作用(yòng)，就會産(chan)生高溫(wēn)，這樣就(jiù)會把它(tā)熔化。如(ru)果對熔(róng)化的矽(xi)液進行(hang)降溫處(chu)理，就會(hui)産生一(yī)定程度(dù)的過冷(leng)度，然後(hòu)再使用(yong)一個矽(xi)單晶體(tǐ)插在熔(róng)體的表(biǎo)面，需要(yào)使用固(gù)定在籽(zi)晶軸上(shang)的矽單(dān)晶體。可(kě)以等這(zhe)籽晶可(kě)以和熔(róng)體相融(rong)合之後(hòu)，然後慢(man)慢的往(wang)上拉動(dòng)籽晶。然(rán)後晶體(tǐ)就會在(zai)慢慢的(de)生長，可(kě)以生長(zhǎng)成爲直(zhí)徑3至5毫(hao)米的細(xì)頸。